GB/T 1558-2009 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 信息反馈
中国标准分类号： H80 (半金属与半导体材料综合) 信息反馈
国际标准分类号： 29.045 (半导体材料) 信息反馈
适用范围： 本标准规定了硅中代位碳原子含量的红外吸收测量方法。本标准适用于电阻率高于3Ω• cm的p型硅片及电阻率高于1Ω• cm的n型硅片中代位碳原子含量的测定，对于精密度要求不高的硅片，可以测量电阻率大于0.1Ω• cm的硅片中代位碳原子含量。由于碳也可能存在于间隙位置，因而本方法不能测定总碳含量。本标准也适用于硅多晶中代位碳原子含量的测定，但其晶粒界间区的碳同样不能测定。本标准测量的碳原子含量的有效范围：室温下从硅中代位碳原子含量5×1015at•cm-3（0.1ppma）到碳原子的最大溶解度，77 K时检测下限为5×1014at•cm-3（0.1ppma）。 信息反馈
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