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GB/T 24578-2015 硅片表面金属沾污的全反射 X光荧光光谱测试方法 信息反馈

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中国标准分类号： H17 (半金属及半导体材料分析方法) 信息反馈

国际标准分类号： 77.040 (金属材料试验) 信息反馈

适用范围： 本标准规定了使用全反射X光荧光光谱,定量测定硅拋光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶拋光片、外延片(以下称硅片),尤其适用于硅片清洗后自然氧化层,或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定,测定范围为109atoms/cm2~1015atoms/cm2。本标准同样适用于其他半导体材料,如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面拋光晶片表面金属沾污的测定。对良好的镜面拋光表面,可探测深度约5nm,分析深度随表面粗糙度的改善而增大。本方法可检测元素周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素,尤其适用于测定以下元素:钾、钙、钛、钒、铬、猛、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、把、银、锡、钽、钨、销、金、汞和铅。本方法的检测限取决于原子序数、激励能、激励X射线的光通量、设备的本底积分时间以及空白值。对恒定的设备参数,无干扰检测限是元素原子序数的函数,其变化超过两个数量级。重复性和检测限的关系见附录A。本方法是非破坏性的,是对其他测试方法的补充,与不同表面金属测试方法的比较及校准样品的标定参见附录B。 信息反馈

基本信息
发布机构： 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 信息反馈
发布日期： 2015/12/10 信息反馈
实施日期： 2017/01/01 信息反馈
作废日期： 2025/02/01 信息反馈
全文语种： 中文 信息反馈
全文页数： 13 页 信息反馈
有无馆藏： 有
关联标准
相关单位
提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203);全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) 信息反馈
起  草  人： 孙燕   李俊峰   楼春兰   潘紫龙   朱兴萍   信息反馈
起草单位： 有研新材料股份有限公司 万向硅峰电子股份有限公司 浙江省硅材料质量检验中心 信息反馈
归口单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203);全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) 信息反馈
附录
修改单
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  • 标准号：GB/T 24578-2015

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