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GB/T 24578-2024 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 信息反馈

现行

中国标准分类号： H21 (金属物理性能试验方法) 信息反馈

国际标准分类号： 77.040 (金属材料试验) 信息反馈

适用范围： 本文件描述了半导体镜面晶片表面深度为5nm以内金属元素的全反射X 射线荧光光谱(TXRF)测试方法。本文件适用于硅、绝缘衬底上的硅(SOI)、锗、碳化硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、锑化镓等单晶拋光片或外延片表面金属沾污的测定,尤其适用于晶片清洗后自然氧化层或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定,测定范围:109 atoms/cm2-1015atoms/cm2。本文件规定的方法能够检测周期表中原子序数16(S)- 92(U )的元素,尤其适用于钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅等金属元素。注:测试范围在一定条件下能扩展到原子序数 11(Na)- 92(U)的元素,取决于测试设备提供的X 射线源。 信息反馈

基本信息
发布机构： 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 信息反馈
发布日期： 2024/07/24 信息反馈
实施日期： 2025/02/01 信息反馈
全文语种： 中文 信息反馈
全文页数： 14 页 信息反馈
有无馆藏： 有
关联标准
相关单位
提出单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)；全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) 信息反馈
起  草  人： 宁永铎   孙燕   贺东江   李素青   朱晓彤   康森   靳慧洁   孙韫哲   潘金平   任殿胜   张海英   何凌   丁雄杰   刘薇   沈演凤   廖周芳   赵丽丽   张西刚   赖辉朋   廖家豪   信息反馈
起草单位： 有研半导体硅材料股份公司 天通银厦新材料有限公司 浙江海纳半导体股份有限公司 北京通美晶体技术股份有限公司 深圳牧野微电子技术有限公司 浙江金瑞泓科技股份有限公司 有色金属技术经济研究院有限责任公司 广东天域半导体股份有限公司 江苏华兴激光科技有限公司 江苏芯梦半导体设备有限公司 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 深圳市深鸿盛电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 湖南德智新材料有限公司 信息反馈
归口单位： 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)；全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) 信息反馈
附录
修改单
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