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GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法 信息反馈

现行

中国标准分类号: L90 (电子技术专用材料) 信息反馈

国际标准分类号: 31.080.99 (其他半导体分立器件) 信息反馈

基本信息
发布机构: 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 信息反馈
发布日期: 2023/12/28 信息反馈
实施日期: 2024/07/01 信息反馈
全文语种: 中文 信息反馈
全文页数: 23 页 信息反馈
有无馆藏:
关联标准
相关单位
提出单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203);全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) 信息反馈
起  草  人: 芦伟立   房玉龙   李佳   殷源   丁雄杰   张冉冉   王健   李丽霞   张建峰   李振廷   徐晨   杨青   刘立娜   杨世兴   马康夫   钮应喜   金向军   尹志鹏   刘薇   陆敏   周少丰   林志阳   信息反馈
起草单位: 河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所) 之江实验室 广东天域半导体股份有限公司 中国电子科技集团公司第四十六研究所 浙江大学 山东天岳先进科技股份有限公司 山西烁科晶体有限公司 中国科学院半导体研究所 中电化合物半导体有限公司 河北普兴电子科技股份有限公司 常州臻晶半导体有限公司 深圳市星汉激光科技股份有限公司 厦门特仪科技有限公司 信息反馈
归口单位: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203);全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) 信息反馈
附录
修改单
关联公告

相同标准对象标准

  • 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外......

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相关度排名

  • 标准号:GB/T 43493.3-2023

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